Patent



  1. Jong-Ho Lee, Sung-Tae Lee, "신경망을 위한 시냅스 스트링 아키텍쳐,"


  2. Byung-Gook Park, Kyungchul Park, "Threshold Variation Compensation of neurons in spiking neural networks,"


  3. 이종호, 강원묵, "시냅스 모방 소자 및 어레이,"


  4. 이종호, 이수창, "3차원 적층형 메모리 장치 및 상기 장치에서의 수직 상호 연결 구조,"


  5. 이종호, 우성윤, "뉴런 모방 소자 및 회로,"


  6. 이종호, 이성태, " 시냅스 스트링 어레이를 이용한 신경망,"



  7. 박병국, 백명현, 장태진, "더블 게이트를 갖는 반도체 소자 및 뉴럴 네트워크 내 타겟 반도체 소자의 시냅스 가중치를 설정하는 방법,"


  8. 이종호, 강호중, 최낙용, 한병일, 박경진, 정성용, "비휘발성 메모리 소자 및 이의 구동 방법,"


  9. Byung-Gook Park, Mun Hyeon Kim, Keun Hwi Cho, Si Hyun Kim, Ki Tae Lee, "Semiconductor devices including a narrow active pattern,"


  10. 이종호, 김철흥, 우성윤, "재구성 가능한 신경모방 소자 및 어레이,"


  11. 박병국, 황성민, "스파이킹 뉴럴 네트워크를 이용한 추론 방법 및 장치,"


  12. Jong-Ho Lee, Sung Yun Woo, Won-Mook Kang, "Neuromorphic system,"


  13. 이종호, 우성윤, 강원묵, "신경 모방 시스템,"


  14. Byung-Gook Park, Min-Hwi Kim, Sungjun Kim, "Operation method of resistive memory device,"


  15. 이종호, 김철흥, 임수환, "Vertical neuromorphic devices stacked structure and array of the structure,"


  16. 이종호, "반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법,"


  17. 박병국, 이정준, "뉴런 회로,"


  18. 이종호, 배종호, 임수환, "신경 모방 소자,"


  19. 이종호, 배종호, "재구성 가능 신경 모방 소자,"


  20. 박병국, 이륭빈, 김시현, 이기태, 김상완, "고유전율 측벽 스페이서를 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법,"


  21. Byung-Gook Park, Dae Woong Kwon, Do Bin Kim, Sang Ho Lee, "Method of initializing and programing 3D non-volatile memory device,"


  22. Jong-Ho Lee, Chang Hee Kim, "Fet type gas-sensitive device having horizontal floating gate,"


  23. 박병국, 김민휘, 김성준, "저항변화 메모리 소자의 전류성분 측정을 위한 등가회로,"


  24. 박병국, 김민휘, 김성준, "교차점 어레이를 이용한 신경 연결망 및 그 패턴 인식방법,"


  25. Byung-Gook Park, Seongjae Cho, "Integrated circuit emulating neural system with neuron circuit and synapse device array and fabrication method thereof,"


  26. 박병국, 권민우, 황성민 백명현, 장태진, "양성 피드백 트랜지스터를 이용한 뉴런 발화동작 모방 반도체 회로,"


  27. Byung-Gook Park, Sungjun Kim, Min-Hwi Kim, Tae-Hyeon Kim, Sang-Ho Lee, "Resistive random access memory device for 3D stack and memory array using the same and fabrication method thereof,"


  28. 박병국, 김윤, 김형진, 위대훈, “재구성 가능한 뉴로모픽 시스템 및 이의 신경망 구성 방법,”


  29. 박병국, 김윤, 김형진, “뉴로모픽 시스템, 및 기억 장치,”


  30. 박병국, 백명현, 김형진, 권민우, 황성민, 장태진, “반도체 물질의 입계를 전하저장소로 이용하는 반도체 소자,”


  31. 박병국, 권대웅, 이륭빈, 김시현, “다층 절연막을 갖는 전계효과 트랜지스터 기반의 바이오센서 및 그 제조방법,”


  32. 박병국, 김형진, 황성민, “비대칭 듀얼 게이트를 가진 반도체 소자 및 그 어레이,”


  33. Byung-Gook Park, Dae Woong Kwon, Do Bin Kim, Sang Ho Lee, "Method of initializing and driving 3D non-volatile memory device using time varying erase signal,"


  34. Byung-Gook Park, Min-Woo Kwon, Hyungjin Kim, "Semiconductor circuit using floating body device for emulating neuron firing process,"


  35. 박병국, 조성재, 김성준, “터널링 절연막이 삽입된 저항성 메모리 소자 및 이를 이용한 메모리 어레이와 그 제조방법,”


  36. 박병국, 이준일, 김장현, 권대웅, “활성영역 아래 에어갭을 갖는 반도체소자 및 그 제조방법,”


  37. 박병국, 권대웅, 김장현, 이준일, “비대칭 채널과 게이트 절연막을 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법,”


  38. 박병국, 이상호,“3차원 적층형 메모리 어레이 및 스트링 선택 트랜지스터의 문턱전압 결정방법,”


  39. Byung-Gook Park, Seongjae Cho, In Man Kang, “Compound tunneling field effect transistor integrated on silicon substrate and method for fabricating the same,”


  40. 박병국, 김형진, 김가람, 이정한, 권민우, “시냅스 모방 반도체 소자 및 그 동작방법,”


  41. 박병국, 진성훈, 정성헌, 김민휘 “나노 팁 구조와 나노 와이어를 갖는 저항성 메모리 소자 및 이를 이용한 메모리 어레이와 그 제조방법,”


  42. 박병국, 조성재, 정성헌, “나노 팁 구조를 갖는 저항성 메모리 소자 및 이를 이용한 메모리 어레이와 그 제조방법,”


  43. 박병국, 김형진 “비대칭 듀얼게이트 구조를 갖는 반도체소자 및 그 제조방법,”


  44. 박병국, 조성재, “실리콘 집적가능한 게르마늄 기반의 높은 정공이동도를 갖는 트랜지스터,”


  45. 박병국, 권민우, 김형진 “플로팅 바디 소자를 이용한 뉴런 발화동작 모방 반도체 회로,”


  46. 박병국, 권대웅 “다중 진단용 터널링 전계효과 트랜지스터 바이오 센서,”


  47. 박병국, 권대웅, 김현우, 김장현 “들려진 드레인 영역을 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터,”


  48. 박병국, 조성재, 강인만, “Silicon-Compatible Compound Junctionless Field-Effect Transistor,”


  49. Byung-Gook Park, James S. Harris, Jr., Seongjae Cho, “Germanium Electroluminescence Device and Fabrication Method of the Same,”


  50. Byung-Gook Park, Seongjae Cho, and Won Bo Shim, “3D stacked array having cut-off gate line and fabrication method thereof,”


  51. 박병국, 김완동, 김필종, 손선익,“스트링선택트랜지스터들의 문턱전압을 모니터링하는 SSL 상태 확인 빌딩을 구비한 3차원 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이, 그 모니터링 및 구동방법,”


  52. 채수두, 김정우, 박찬진, 한정희, 박병국, 박일한,“플래시 메모리 장치 및 이의 구동 방법,”


  53. 박병국, 서주연, 김필종, 손선익,“비트라인의 커패시턴스 차이를 줄이기 위한 3차원 채널 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이,”


  54. 박병국, 김완동, “ＬＳＭ이 가능한 3차원 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법,”


  55. 이종호,“가중치 전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법,”


  56. 이종호, 김창희, “FET TYPE GAS-SENSITIVE DEVICE HAVING HORIZONTAL FLOATING GATE,”


  57. Ki-Whan Song, Byung-Gook Park, "NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES,"


  58. 박병국, 김윤, “3차원 스타구조를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법,”


  59. Min-Chul Sun, Byung-Gook Park, "Method of fabricating semiconductor device having buried wiring and related devices,"


  60. 박병국, 선민철, “stack 소자기술용 high aspect-ratio fin을 형성하기 위한 etch방법,”


  61. 이종호, “고집적 플래시 메모리 셀 스트링, 셀 소자, 및 그 제조 방법,”


  62. 이종호, “고집적 플래시 메모리 셀 스택, 셀 스택 스트링 및 그 제조 방법,”


  63. 이종호, “단순화된 비휘발성 메모리 셀 스트링 및 이를 이용한 낸드플래시 메모리 어레이,”


  64. 박병국, 김상완, 최우영, “독립된 듀얼 게이트의 핀펫 구조를 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법,”


  65. 박병국, 선민철, “high-K 막을 스페이서 에치 스톱으로 이용하는 반도체 소자 형성 방법 및 관련된 소자,”


  66. 이종호, 최병인, 이명선, “저항 변화를 기반으로 한 나노 스케일의 전자기계적 구조의 스위치 소자,”


  67. Jeong-hoon Oh, Kyung-chang Ryoo, Byung-Gook Park, Kyung-seok Oh, In-gyu Baek, "Semiconductor Devices and Method of Driving the Same,"


  68. 이종호, “SIMPLIFIED NONVOLATILE MEMORY CELL STRING AND NAND FLASH MEMORY ARRAY USING THE SAME,”


  69. 이종호, “MEMORY CELL STRING BASED ON GATED-DIODE CELL AND MEMORY ARRAY USING THE SAME,”


  70. Song-Ju Lee, Jeong Soo Park, Byung-Gook Park, Hyun Woo Kim, "Method for manufacturing a semiconductor device,"


  71. 박병국, “간접 밴드갭 반도체를 이용한 전기발광소자,”


  72. 박병국, 김윤, 서주연 “수직 적층된 SSL을 갖는 스타구조 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법,”


  73. 박병국, 정성헌, “측벽 및 스페이서 공정을 이용한 저항성 메모리 소자의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 저항성 메모리 소자,”


  74. 박병국, 김완동, 김윤 “3차원 적층형 메모리 어레이의 컨택 형성 방법,”


  75. 박병국, 김경완, 이정한, “단전자 트랜지스터 및 그 제조방법,”


  76. 박병국, 조성재, “차단 게이트 라인을 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이와 그 동작 및 제조방법,”


  77. 이종호 김창희, “수평형플로팅게이트를 갖는 3차원 핀펫형 가스 감지소자,”


  78. Wook-Hyun Kwon, Byung-Gook Park, Yun-Heub Song, Yoon Kim, "Methods of Forming and Operating Semiconductor Device,"


  79. 박병국, 김장현, 김가람, 박의환, 강동훈, 손중곤, “반도체 발광소자,”


  80. 박병국, 선민철, “매립 배선을 갖는 반도체 소자 형성 방법 및 관련된 소자,”


  81. Byung-Gook Park, Seongjae Cho, "NAND flash memory array having pillar structure and fabricating method of the same,"


  82. 박병국, 이정업, “일함수 차이를 이용한 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터 및 그 공정방법,”


  83. 이종호, 정민규, “랜덤텔레그래프 노이즈 영향을 억제하기 위한 반도체 소자에서의 읽기방법,”


  84. 이종호, 김창희, “수평형 플로팅 게이트를 갖는 FET형 가스감지소자,”


  85. 박병국, 권대웅, 장지수, 김장현, 김상완, “라운딩된 게이트를 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법,”


  86. 박병국, 선민철, “저전력설계용 multi-VT 옵션을 제공하기 위해 적층구조를 사용하여 구현한 gate-all-around 소자의 구조,”


  87. 이종호, 최병인 “ 그래핀을 이용한 캔틸레버 소자 및 그 제조 방법,”


  88. 박병국, 윤장근, 박세환, “블록 이레이즈 가능한 3차원 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이,”


  89. 박병국, 선민철, “후방-게이트를 갖는 전계 효과 트랜지스터 및 그 형성 방법,”


  90. 박병국, 김상완, “함몰된 바디에 두개의 게이트를 갖는 1Ｔ 디램 소자와 그 동작방법 및 제조방법,”


  91. 박병국, 김상완, “탄소나노튜브를 게이트로 이용한 트랜지스터 및 그 제조방법,”


  92. 이종호, “ 낮은 누설 전류를 갖는 반도체 메모리 소자,”


  93. 박병국, 선민철, “수직 소자 및 비-수직 소자를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법,”


  94. 이종호, “게이트 다이오드 구조를 갖는 메모리 셀 스트링 및 이를 이용한 메모리,”


  95. 박병국, 조성재, “적층구조를 갖는 일회 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 어레이와 그 동작 및 제조방법,”


  96. 박병국, 김가람, “스플릿게이트 구조를 갖는 1T 디램 소자 및 이를 이용한 디램 어레이,”


  97. 이종호, “고성능 단일 트랜지스터 플로팅 바디 DRAM 소자 및 그 제조방법,”


  98. 이종호, “비휘발성 기능을 갖는 단일 트랜지스터 플로팅바디 DRAM 셀 소자,”


  99. 이종호, “안장형 엠오에스 소자,”


  100. 이종호, “안장형 플래쉬 메모리 소자 및 제조방법,”


  101. 이종호, 박준모, “향상된 감도를 갖는 나노포어 소자 및 그 제조,”


  102. 박병국, 윤장근, “비트라인과 접지선택라인이 연결된 스타구조를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법,”


  103. 박병국, 윤장근, “확장된 전하저장 노드를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법,”


  104. 박병국, 권대웅, 김장현, 장지수, 김상완, “역 스태거드 박막 트랜지스터 구조를 이용한 2비트 저항성 메모리 소자,”


  105. 박병국, 유경창, 오정훈,“스페이서 구조를 갖는 저항성 메모리 소자 및 그 제조방법,”


  106. 박병국, 이정업, “확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터 및 그 공정 방법,”


  107. 박병국, 김윤, “층 선택이 가능한 3차원 스타구조를 갖는 낸드플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법,”


  108. 박병국, 이정한, “전하 저장층을 구비한 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법,”


  109. 이종호, 신형철, “차폐전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링,”


  110. 이종호, 이주완, 신형철, “메모리 셀 스트링 스택 및 이를 이용한 메모리 어레이,”


  111. 박병국, 이정한, “모스 장벽을 이용한 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법,”


  112. 박병국, 심원보, “기둥형 단결정 채널 및 가상 소스/드레인을 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법,”


  113. 박병국, 조성재, 이정훈, “일회 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 어레이와 그 동작 및 제조방법,”


  114. 박병국, 윤장근, “수직 적층된 다중 비트 라인들을 갖는 노아 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법,”


  115. 박병국, 권대웅, 박재철, 김상완, 김장현, 장지수, “Transistors and electronic devices including the same,”


  116. 박병국, 유경창, “물질층을 삽입층으로 갖는 PRAM 셀 및 이를 이용한 PRAM 어레이,”


  117. Byung-Gook Park, Sang Hyuk Park, “Dual gate single electron transistor having recessed channel and method for fabricating the same,”


  118. 박병국, 윤장근, “수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자,”


  119. 박병국, 박상혁, “리세스 채널을 가지는 듀얼게이트 단전자 트랜지스터 및 그제조방법,”


  120. 박병국, 김윤, “수직 게이트를 갖는 4비트 메모리 셀 및 이를 이용한 노아 플래시 메모리 어레이와 그 제조방법,”


  121. Byung-Gook Park, Yoon Kim, “4-bit memory cell having vertical gate, NOR flash memory array using the same and fabrication method thereof,”


  122. 박병국, 윤장근, “스타 구조를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법,”


  123. Wook-Hyun Kwon, Byung-Gook Park, Yun-Heub Song, Yoon Kim, “Semiconductor Device and Methods of Forming and Operating the Same,”


  124. 박병국, 김종필, “비대칭 쇼트키 장벽을 이용한 TFET 및 그 제조방법,”


  125. Hyoung Soo Ko, Byung Gook Park, Seung Bum Hong, Chul Min Park, Woo Young Choi, Jong Pil Kim, Jae Young Song, Sang Wan Kim, “Semiconductor Probe Structure Using Impact-Ionization Metal Oxide Semiconductor Device, Information Storing Device Therewith and Manufacturing Method Thereof,”


  126. 박병국, 윤장근, 박일한, “스타 구조를 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법,”


  127. 박병국, 박일한, “Memory cell device having vertical channel and double gate structure,”


  128. 박병국, 김가람, “2비트 저장 가능한 단일 트랜지스터 구조를 갖는 디램 소자,”


  129. 박병국, 윤장근, “핀분리층이 내재된 수직 채널의 노이 플래시 메모리 어레이,”


  130. 이종호, “적층형 비휘발성 메모리 셀 소자, 상기 셀 소자를 이용한 비휘발성 메모리 셀 스택, 비휘발성 메모리 셀 스트링, 비휘발성 메모리 셀 어레이 및 그 제조 방법,”


  131. 박병국, 전국진, “곡면 구조를 갖는 소노스 소자 및 그 제조방법,”


  132. Jeong-Hoon Oh, Kyung-Chang Ryoo, Byung-Gook Park, Kyung-Seok Oh, In-Gyu Baek, "Semiconductor devices and methods of Driving the same,"


  133. 박병국, 권대웅, 김창정, 박재철, “능동현 디스플레이 장치의 구동 방법,”


  134. 박병국, 권대웅, 박재철, 김상완, 김장현, 장지수, “트랜지스터 및 이를 포함하는 전자소자,”


  135. 박병국, 유경창, 오정훈, “최소화된 상부전극의 컨택을 갖는 저항성 메모리 소자 및 그 제조방법,”


  136. 이종호, “고집적 수직형 플래시 메모리 셀 스트링, 셀 소자, 및 그 제조방법,”


  137. 이종호, 신형철,“분리 절연막 스택으로 둘러싸인 차폐전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법,”


  138. 박병국, 이정업, “수직 양자점을 갖는 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법,”


  139. 박병국, 윤장근, “바디 컨택이 가능한 나노 와이어 소자 및 이를 이용한 3차원 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이,”


  140. 박병국, 윤장근, “연결게이트를 구비한 3차원 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법,”


  141. 박병국, 이정업, “일함수 차이를 이용한 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터 및 그 공정방법,”


  142. 박병국, 이정한, “일함수 차이를 이용한 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법,”


  143. 박병국, 서창수, 유병두, 홍근기, 지상엽, 정재민, “액티브 소자를 구비한 LED 디스플레이 장치 및 그 제조방법,”


  144. 이종호, “고집적 수직형 플래시 메모리 셀 스트링, 셀 소자, 및 그 제조방법,”


  145. 이종호, “차폐전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법,”


  146. Hyung Soo Ko, Byung-Gook Park, Seung Bum Hong, Chul Min Park, Woo Young Choi, Jong Pil Kim, Jae Young Song, Sang Wan Kim, “Method of Manufacturing Enhancement Type Semiconductor Probe and Information Storage Device Having the Semiconductor Probe Using the Same,”


  147. 박병국, 윤장근, “전기적 초기화로 층간 구별되는 3차원 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법,”


  148. 박병국, 이동섭, "Single electron transistor having constriction barrier and fabrication method of the same,”


  149. 박병국, 윤장근, “단결정 스타 구조 형성방법 및 이를 이용한 3차원 낸드 플래시 메모리 어레이,”


  150. Jong-ho Lee, "High performance 1T- DRAM cell device and manufacturing method thereof,"


  151. 박병국, 윤장근, “적층형 노아플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법,”


  152. 이종호, “반도체 소자용 웨이퍼,”


  153. Soo-Doo Chae, Chung-Woo Kim, Chan-Jin Park, Jeong-Hee Han, Byung-Gook Park, Il Han Park, "Non-volatile memory devices including vertical channels, methods of operating, and methods of fabricating the same,"


  154. 박병국, 오정훈, 유경창, 오경석, 백인규, “반도체 소자 및 그 구동 방법,”


  155. Byung-Gook Park, Jae Sung Sim, Jong Duk Lee, "Charge trap memory cell with multi-doped layers, flash memory array using the memory cell and method of the same,"


  156. 박병국, 김종필, 박지선, 차선용 “반도체 소자의 제조방법,”


  157. Byung-Gook Park, Jung Hoon Lee, "A SONOS device with a curved surface and a fabricating method thereof,"


  158. 송기환, 이종덕, 박병국, 정훈, "이중 게이트형 수직 채널 트랜지스터들을 구비하는 다 이내믹 랜덤 액세스 메모리 장치 및 그 제조 방법,"


  159. 박병국, 김가람, “돌출된 바디를 저장노드로 하는 메모리 셀 및 그 제조방법,”


  160. 박병국, 윤장근, “전하저장 노드를 갖는 낸드 플래시 어레이 및 그 제조방법,”


  161. 이종호, “고집적 수직형 반도체 메모리 셀 스트링, 셀 스트링 어레이, 및 그 제조 방법,”


  162. Yong-Kyu Lee, Jung-Uk Han, Sung-Taeg Kang, Jong-Duk Lee, Byung-Gook Park, "Twin-ONO-Type SONOS Memory,"


  163. 송기환, 박병국,“Methods of Fabricating Nonvolatile Semiconductor Memory Devices,”


  164. 송기환, 박병국, "비휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조방법,"


  165. Byung-Gook Park, Il Han Park, Soodoo Chae, CW Kim, Jeonghee Han, Chanjin Park, "Nonvolatile memory device and method of fabricating the same,"


  166. Byung-Gook Park, Il Han Park, Tae Hun Kim, "NAND type Flash Memory Array and Operating Method of the same,"


  167. 박병국, 윤장근, “워드라인 더블 패터닝 공정방법 및 이에 의하여 구현된 낸드 플래시 메모리 어레이,”


  168. 이종호, “고성능 단일 트랜지스터 플로팅 바디 ＤＲＡＭ 소자 및 그 제조 방법,”


  169. 박병국, 박세환, 박일한, "함몰된 채널에 분리 게이트를 갖는 플래시 메모리 소자와 이를 이용한 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법,”


  170. Byung-Gook Park, Jong Pil Kim, "Method for fabricating asymmetric LDD MOSFET,”


  171. 박병국, 김종필,“비대칭 엘디디 모스펫의 제조방법,”


  172. Byung-Gook Park, Tae Hun Kim, Il Han Park, "A body biasing scheme on SOI,"


  173. Soo Doo Chae, Chung-woo Kim, Chan-jin Park, Jeong-hee Han, Byung-Gook Park, Gil Sung Lee, "Nonvolatile Memory Transistors Including Active Pillars and Related Methods and Arrays,”


  174. Byung-Gook Park, Jae Young Song, “FIREFET and fabricating method of the same,”


  175. Byung-Gook Park, Hyungsoo Ko, Woo Young Choi, Jae Young Song, Jong Pil Kim, Sang Wan Kim, Seungbum Hong, Chulmin Park, “측벽 영역과 이등방성 습식 식각을 이용한 증가형 반도체 탐침의 제조 방법 및 이를 이용한 정보저장장치,”


  176. Byung-Gook Park, Hyungsoo Ko, Woo Young Choi, Jae Young Song, Jong Pil Kim, Sang Wan Kim, Seungbum Hong, Chulmin Park, “이온화 충돌 반도체 소자를 이용한 새로운 탐침구조 및 그 제조방법,”


  177. Byung-Gook Park, Jin Ho Kim, “Single electron transistor having self-alignment trench and fabricating method of the same,”


  178. Byung-Gook Park, Sangwoo Kang, “Dual-gate single-electron transistor having self-Alignment and fabrication method of the same,”


  179. Wook-Hyun Kwon, Byung-Gook Park, Yun-Heub Song, Yoon Kim, “반도체 장치 및 그 동작 방법,”


  180. 박병국, 윤장근, “핀분리층이 내재된 수직 채널의 노아 플래시 메모리 어레이,”


  181. Byung-Gook Park, Il Han Park, Won Bo Shim, “수직 적층구조를 갖는 AND형 플래시 메모리 어레이와 그 제작방법 및 동작 방법,”


  182. Byung-Gook Park, Il Han Park, "Memory cell device having Vertical channel and double gate structures,"


  183. 최병용, 박병국, 박동건, 이충호, "2-비트 동작을 위한 매몰 비트 라인을 가지는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조,"


  184. 박병국, 박일한, 채수두, 김정우, 한정희, 박찬진, "수직 구조를 갖는 앤드형 및 노아형 플래쉬 메모리 어레이와 그 각각의 제조방법 및 동작방법,”


  185. 정주환, 김준수, 신형철, 홍성범, "도핑 제어층이 형성된 고분해능 저항성 팁을 구비한 반도체탐침 및 그 제조방법,"


  186. Byung-Gook Park, Il Han Park, "AND type flash memory array having vertical structure and manufacturing method and operating method of the same,”


  187. 송기환, 이종덕, 박병국, "정전기 방전용 실리콘 제어 정류기,"


  188. 심재성, 박병국, 이종덕, 깁정우, “복수개의 도핑층을 갖는 전하트랩 메모리 셀의 구조 및 그 제조방법과 동작방법,”


  189. 심재성, 박병국, 이종덕, 깁정우, “복수개의 도핑층을 갖는 전하트랩 메모리 셀을 이용한 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법,”


  190. 심재성, 박병국, 이종덕, 깁정우, “복수개의 도핑층을 갖는 전하트랩 메모리 셀을 이용한 노아 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법,”


  191. 신형철, 김준수, 정주환, 홍승범, "도핑 제어층이 형성된 고분해능 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법,"


  192. 신형철, 이종호, "Flash memory element and manufacturing method Thereof,"


  193. 신형철, 김준수, 정주환, 홍승범, "고분해능 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법,"


  194. 신형철, 고형수, 정주환, 홍승범, "저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법,"


  195. 박병국, 이종덕, 최병용, “전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법,”


  196. 박병국, 이종덕, 이용규, 강성택, 한정욱, “역자기 정합 방식을 이용한 트윈 - ONO 형태의 SONOS 메모리 소자 제조 방법,”


  197. Byung-Gook Park, Woo Young Choi, "Tunneling Field Effect Transistor,"


  198. 심재성, 박병국, 이종덕, 김정우, "Structure, Fabricating and Operating Method of SONOS Memory Cell with Multi-Doping Layers,"


  199. 심재성, 박병국, 이종덕, 김정우, "NAND Flash Memory Array and Operating Method of the Same Using SONOS Memory Cell with Multi-Doping Layers,"


  200. 심재성, 박병국, 이종덕, 김정우, "NOR Flash Memory Array and Operating Method of the Same Using SONOS Memory Cell with Multi-Doping Layers,"


  201. 이종호, 신형철, "Method for fabrication a nonvolatile memory device using nano-crystal dots,"


  202. 박병국, 이종덕, 김경록, “음 미분 전도도를 갖는 반도체 소자의 제조 방법,”


  203. 박병국, 이종덕, 최우영, “엘디디를 구비하는 전계효과트랜지스터의 제조방법,”


  204. 이종호, 신형철, "플레쉬 메모리 소자 및 제조방법,"


  205. Jong Duk Lee, Byung-Gook Park, Sung Hun Jin, Cheon An Lee, "Full-swing organic semiconductor circuit,"


  206. Jong Duk Lee, Byung-Gook Park, Sung Hun Jin, "Fabrication method for Double Organic Thin Film Transistors,"


  207. Byung-Gook Park, Jong Duk Lee, Byung Yong Choi, "Fabrication Method of MOSFET,"


  208. Byung-Gook Park, Jong Duk Lee, Woo Young Choi, "I-MOS and method for fabricating the same,"


  209. Yong-kyu Lee, Jeong-uk Han, Sung-taeg Kang, Jong Duk Lee, Byung-Gook Park, "Method of manufacturing twin-ONO-type SONOS memory using reverse self-alignment process,"


  210. Byung-Gook Park, Jong Duk Lee, Cheon An Lee, "A Column driving method for a microdisplay and a column driving circuit using the same,"


  211. Byung-Gook Park, Jong Duk Lee, Dong Soo Woo, "Single electron transistor with controllable quantum dot size, an integration of single electron transistor and double-gate MOSFET, and fabrication method thereof, respectively,"


  212. Byung-Gook Park, Jong Duk Lee, Yong Kyu Lee, Seong Taek Kang, and Jeong Uk Han, "The fabrication method of SONOS nonvolatile memory with twin-ONO formed by reverse self-aligned method,"


  213. Jong Duk Lee, Byung-Gook Park, Sung Hun Jin, Jin Ho Lee, "Organic thin film transistors and method for manufacturing the same,"


  214. Chung Woo Kim, Byung-Gook Park, Jong Duk Lee, Yong Kyu Lee, "Silicon/Oxide/Nitride/Oxide/Silicon nonvolatile memory with vertical channel and Fabricating method thereof and Program method,"


  215. Byung-Gook Park, Jong Duk Lee, Kyung Rok Kim, "Method for manufacturing semiconductor device with negative differential conductance or negative transconductance,"


  216. Byung-Gook Park, Jong Duk Lee, Woo Young Choi, "Method for manufacturing field effect transistor with lightly doped drain,"


  217. Byung-Gook Park, Jong Duk Lee, Yong Kyu Lee, "수직 채널을 가지는 비휘발성 SONOS 메모리 및 그 제조 방법,"


  218. Byung-Gook Park, Jong Duk Lee, Byung Yong Choi, "MOSFET and Manufacturing method thereof,"


  219. Byung-Gook Park , Jong Duk Lee , Kyung Hoon Chung , Suk Kang Sung, "Method for fabricating ultra-fine multiple patterns,"


  220. Byung-Gook Park , Jong Duk Lee, Dong Soo Woo, "이중 게이트 MOSFET 및 그 제조방법,"


  221. Byung-Gook Park, Jong Duk Lee, Kyung Hoon Chung, Suk Kang Sung, "Method for fabricating ultra-fine multiple patterns,"


  222. Byung-Gook Park , Jong Duk Lee, Young Jin Choi, "전계효과트랜지스터와 그 제조방법,"


  223. Byung-Gook Park , Dong Hyuk Chae, "트랜지스터의 구조 및 제조 방법,"


  224. Byung-Gook Park , Dae Hwan Kim, "Short channel length transistor and method of fabricating the same,"


  225. Byung-Gook Park , Dae Hwan Kim, "Method for Fabricating Single Electron Transistor,"


  226. Jong Duk Lee, Chun Gyoo Lee, and Hyung Soo Uh, "Methods for Manufacturing Field Emitter Arrays based on Silicon-On-Insulator(SOI) Substrate"


  227. Jong Duk Lee and Dong Hwan Kim, "MOSFET-Controlled FEA and Method for Fabricating the Same"


  228. Jong Duk Lee, Jae Soo Yoo, and Sung Hee Cho, "Method for Preparing Spherical Phosphor Particles"


  229. Jong Duk Lee, Jae Soo Yoo, and Sung Hee Cho, "A ZnGa2O4(:Mn) Phosphor for Low-Voltage and a Method for Manufacturing a Phosphor Screen by Using It"


  230. Jong Duk Lee, Kuk Jin Chun, Byung Gook Park, and Jeongho Lyu, "Method for Manufacturing ISRC MOSFET"


  231. Jong Duk Lee, "Magnetic Sensor Using Vertical Feild Emission Device"


  232. 이종덕, 전국진, 박병국, 유정호, “역측벽을 이용한 함몰채널 MOSFET의 제조 방법,”


  233. Jong Duk Lee, Cheon Kyu Lee and Dong Hwan Kim, "Field Emitter Array Incorporated with Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors and Method for Fabricating the Same"


  234. Jong Duk Lee and Hyung Soo Uh, "Method for Fabricating a Field Emitter Array Incorporated with Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors"


  235. Jong Duk Lee and Hyung Soo Uh, "Method for Manufacturing Field Emitter Arrays"


  236. Jong Duk Lee, Ho Young An and Cheon Kyu Lee, "A Method for Manufacturing a Low Voltage Driven Field Emitter Array"


  237. Jong Duk Lee, "Method for Producing Silicon Tip Field Emitter Arrays"


  238. Woo Hyeong Lee, Jong Duk Lee, Young Joon Park, "MOS Field Effect Transistor and Manufacturing Method the Same"


  239. Jong-duk Lee, Hyeong-su Woo, Sun-jeong Choi, and Gang-ok Lee, "Field Emission Cathode and Method for Manufacturing a Field Emission Cathode"


  240. Jong Duk Lee, Sun-jeong Choi, Gang-ok Lee, and Sang-jik Kwon, "Method for Manufacturing Field Emitter Array"


  241. Clifford A, Byung G. Prak, “MOS Fabrication Process Including Deposition of a Boron-Doped Diffusion Source Layer,”